金属纳米晶存储器件数据保持能力建模与验证

• 作者: 施亮 林昆 程秀兰 顾怀怀
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属纳米晶 存储器 数据保持能力 量子限制 库仑阻塞 模型
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 269-271,274
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.023

摘要

金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性,因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注.对比分析讨论了量子限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能级的影响后,发现库仑阻塞效应会严重削弱器件数据保持能力.在综合考虑金属纳米晶量子限制效应和库仑阻塞效应的基础上,提出了金属纳米晶存储器件数据保持能力分析模型,并通过与相关研究文献的实验数据对比分析,证实了本模型的合理性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	施亮	上海交通大学微电子学院	28	190	8.0	13.0
3	林昆	上海交通大学微电子学院	2	14	2.0	2.0
4	顾怀怀	上海交通大学微电子学院	2	5	2.0	2.0