电极材料对碘化汞(α-HgI2)晶体Ⅰ-Ⅴ特性的影响

• 作者: 介万奇 孙晓燕 王领航 许岗
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碘化汞 金 石墨 氯化金 电极 Ⅰ-Ⅴ特性 接触电阻
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1148-1151
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2381字
• 语种: 中文

摘要

利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的,Ⅰ-Ⅴ特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析.结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与Hg2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω.这说明AuCl3,在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触.C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性.而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	孙晓燕	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	21	107	5.0	10.0
3	王领航	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	11	41	5.0	5.0
4	许岗	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	5	12	2.0	3.0