GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路

• 作者: 付晓君 张海英 徐静波 黎明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 增强/耗尽型PHEMT 逻辑控制电路 单刀双掷开关(SPDT) 反相器
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1823-1826
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.036

摘要

利用GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAsE/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC～10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC～10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	黎明	中国科学院微电子研究所	41	329	12.0	17.0
4	付晓君	中国科学院微电子研究所	5	21	2.0	4.0