基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计

• 作者: 张万荣 张蔚 李佳 沈佩 甘军宁 谢红云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗异质结双极型晶体管 低噪声放大器 IEEE802.11a
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 425-427,445
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.25
• 字数: 2326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.016

摘要

基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计.为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法.选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真.最终在频率为5.2 GHz下,LNA噪声系数F为1.5 dB,增益S21达到12.6 dB,输入、输出反射系数S11和|S22较好,在工作频带内小于-10 dB,LNA性能良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信患与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	谢红云	北京工业大学电子信患与控制工程学院	66	215	8.0	9.0
3	李佳	北京工业大学电子信患与控制工程学院	13	91	5.0	9.0
4	甘军宁	北京工业大学电子信患与控制工程学院	6	30	4.0	5.0
5	张蔚	北京工业大学电子信患与控制工程学院	10	65	4.0	8.0
6	沈佩	北京工业大学电子信患与控制工程学院	1	1	1.0	1.0