超深亚微米工艺下的电路级耦合SET脉冲注入

• 作者: 刘征 刘必慰 梁斌 陈书明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子瞬态 脉冲注入 辐射效应
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1819-1822
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.035

摘要

超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient,SET)脉冲注入与实验结果有很大误差.作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入的方法,并且基于开源的SPICE代码实现.该方法的计算结果与器件/电路混合模拟接近,而其计算时间远小于混合模拟.该法与SPICE集成,可以引入实验测量数据,适合于大规模组合电路的SET错误率分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机学院	17	101	6.0	9.0
3	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0
4	刘征	国防科技大学计算机学院	6	66	4.0	6.0