聚天冬氨酸对铜缓蚀作用的光电化学研究

• 作者: 万宗跃 印仁和 周国定 徐群杰 曹为民 朱律均 林昌健
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 聚天冬氨酸 光电化学 缓蚀剂 铜
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 表面与界面工程
• 页码范围: 665-669
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-1157.2008.03.020

摘要

用光电化学方法研究了绿色水处理药剂聚天冬氨酸对铜的缓蚀作用,铜在硼酸-硼砂缓冲溶液(pH=9.2)中,表面的Cu2O膜显p-型光响应,添加适量缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)后,PASP吸附在铜电极表面成膜促使Cu2O膜增厚,体现在电位在负向扫描过程中Cu2O膜的p-型光电流增大.P-型光电流越大,缓蚀性能越好.当PASP浓度为3 mg·L-1时,Cu2O膜的p-型光电流最大,缓蚀性能最好.C1-的存在会阻止PASP在铜电极表面的吸附,使Cu2O膜暴露而受侵蚀,导致了PASP的缓蚀性能变差.