富Si的SiN薄膜光致发光及电致发光研究

• 作者: 李东升 杨德仁 王明华 黄建浩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 富硅氮化硅 光致发光 电致发光 缺陷态能级
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 388-390,421
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.006

摘要

采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备了三种不同化学计量比的富Si的SiN薄膜,并对其光致发光及电致发光性能进行了研究.研究发现,随着Si含量的增加,薄膜的光致发光峰位从460 nm红移到610 nm,且半高宽不断增加;而薄膜的电致发光峰位并没有随着Si含量的改变而变化,始终处于600 nm附近,这主要是由于富Si的SiN薄膜的光致发光与电致发光的机理是不同的.光致发光来源于SiN薄膜缺陷态能级之间辐射复合,而电致发光则是由注入的裁流子先迟豫到较低的缺陷态能级,然后经过辐射复合而得到.