缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁致电阻的影响

• 作者: 周丽萍 姜宏伟 季红 王艾玲 郑鹉
• 来源期刊: 北京科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁性薄膜 缓冲层 各向异性磁致电阻 织构 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 冶金与材料
• 页码范围: 513-516
• 页数: 4页
• 分类号: TB383|O488
• 字数: 3074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-053X.2008.05.012

摘要

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火. 结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品. X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因. 此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑鹉	首都师范大学物理系	55	134	7.0	9.0
2	姜宏伟	首都师范大学物理系	30	107	7.0	9.0
3	王艾玲	首都师范大学物理系	24	64	6.0	7.0
4	周丽萍	首都师范大学物理系	3	9	1.0	3.0
5	季红	首都师范大学物理系	4	10	1.0	3.0