以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征

• 作者: 刘宏新 曾一平 林郭强 王晓亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 分子束外延 Si(111) 缓冲层 金属
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1998-2002
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.028

摘要

用电子束蒸发方法在Si(111)村底蒸发了Au/Cr和Au/Ti/AI/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延(GSMBE)生长GaN.两种缓冲层的表面部比较平整和均匀,都是具有Au(111)面掸优取向的立方相Au层.在Au/Cr/Si(111)上MBE生长的GaN,生长结束后出现剥离.在Au/Ti/Al/Ti/Si(111)上无AIN缓冲层直接生长GaN,得到的是多品GaN;先在800℃生长一层AIN缓冲层,然后在710℃生长GaN,得到的足沿GaN(0001)面择优取向的六方相GaN.将Au/Ti/Al/Ti/Si(111)在 800℃下退火20min,金属层收缩为网状结构,并且成为多晶,不再具有Au(111)方向择优取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平		2	16	2.0	2.0
2	林郭强		1	3	1.0	1.0
3	王晓亮		1	3	1.0	1.0
4	刘宏新		1	3	1.0	1.0