InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究

• 作者: 丁嘉欣 孙维国 彭振宇 郭杰 陈慧娟 鲁正雄
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化铟/锑化镓 超晶格 化学湿法腐蚀 台面刻蚀 溶液配比
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 298-301
• 页数: 4页
• 分类号: TN362|TN305.2
• 字数: 2876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.05.011

摘要

研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系.该体系较适合lnAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小.进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度;在较低的酒石酸和双氧水浓度下,刻蚀速度是由氧化过程控制,且反应速度和双氧水的浓度成正比.腐蚀液配比为酒石酸(3.5g):H2O2(4 mL):HF(1 mL):H2O(400 mL),刻蚀速度约为0.5 μm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲁正雄		19	80	5.0	7.0
2	丁嘉欣		13	43	3.0	6.0
3	孙维国		20	99	5.0	8.0
4	陈慧娟		4	19	2.0	4.0
5	彭振宇		2	15	1.0	2.0
6	郭杰		2	20	2.0	2.0