InP基异质结界面暗电流C-V测试分析

• 作者: 刘英斌 崔琦 林琳 王晶 陈宏泰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 暗电流 电化学C-V I-V特性 异质结界面
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 769-771,779
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN307
• 字数: 2127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.009

摘要

采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析.采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As/P直接切换的优化生长方式.用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英斌	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	54	5.0	7.0
2	林琳	中国电子科技集团公司第十三研究所	21	58	6.0	7.0
3	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
4	王晶	中国电子科技集团公司第十三研究所	20	24	3.0	4.0
5	崔琦	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	9	2.0	2.0