溅射Cu/In叠层预置膜再硒化法制备CuInSe2薄膜

• 作者: 朱洁 李健
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 Cu-In双层膜 溅射顺序 CIS膜
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 312-318
• 页数: 7页
• 分类号: TK513
• 字数: 2677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2008.03.011

摘要

采用Cu、In双靶,低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜,然后采用固态源硒化法生成CuInSe2(CIS)薄膜.采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分,用XRD表征薄膜的组织结构.重点分析了不同衬底,不同铜、铟溅射顺序对Cu-In双层预置膜与CuInSe2半导体薄膜成分、形貌和相结构的影响,分析了不同溅射顺序下薄膜的生长机制.以镀Mo玻璃为衬底生长的薄膜具有更理想的形貌;在Cu-In膜制备过程中采用先溅射Cu后溅射In的沉积顺序,能有效地利用元素In润湿能力强的特点,使Cu、In充分结合形成均匀致密的Cu-In预置膜,经硒化处理得到了具有单一黄铜矿结构的CulnSe2半导体薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洁	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	26	219	9.0	13.0
2	李健	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	18	207	9.0	13.0