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温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻
温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻
作者:
刘冰
孔令涛
黄钊洪
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InSb-In共晶体薄膜
磁敏电阻
温度特性
温控器
灵敏度
摘要:
研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成.实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30 mV/℃,常温下也可达到23 mV/℃左右.同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关.
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灵敏度
内容分析
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内容分析
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻
来源期刊
微纳电子技术
学科
工学
关键词
InSb-In共晶体薄膜
磁敏电阻
温度特性
温控器
灵敏度
年,卷(期)
2008,(12)
所属期刊栏目
微电子器件与技术
研究方向
页码范围
734-737
页数
4页
分类号
TN304.23|TM544|TN379
字数
2297字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1671-4776.2008.12.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄钊洪
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术重点实验室
28
175
8.0
12.0
2
刘冰
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术重点实验室
20
83
4.0
9.0
3
孔令涛
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术重点实验室
2
2
1.0
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传播情况
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引文网络
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节点文献
引证文献
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同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1971(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2008(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
InSb-In共晶体薄膜
磁敏电阻
温度特性
温控器
灵敏度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄市179信箱46分箱
邮发代号:
18-60
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
总被引数(次)
16974
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