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摘要:
研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成.实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30 mV/℃,常温下也可达到23 mV/℃左右.同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 InSb-In共晶体薄膜 磁敏电阻 温度特性 温控器 灵敏度
年,卷(期) 2008,(12) 所属期刊栏目 微电子器件与技术
研究方向 页码范围 734-737
页数 4页 分类号 TN304.23|TM544|TN379
字数 2297字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.12.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄钊洪 华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术重点实验室 28 175 8.0 12.0
2 刘冰 华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术重点实验室 20 83 4.0 9.0
3 孔令涛 华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术重点实验室 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
InSb-In共晶体薄膜
磁敏电阻
温度特性
温控器
灵敏度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
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