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摘要:
根据光荧光谱的测试原理,针对具体的化合物半导体材料的层次结构,归纳、总结出两个实用的分析模型:光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型.应用厚度干涉模型,对GaN外延材料、带DBR结构的MQW材料的光荧光谱曲线进行了分析,并解释了AlGaInP LED结构PL扫描图的强度分布.应用透明衬底发光模型,分析并解释了InGaAs材料的发光强度图案.实验结果表明,这两个分析模型能很好地解释薄膜外延层的PL光谱曲线,能够分析光荧光谱的曲线形状和强度分布与材料结构及表面状态的关系,对判断材料品质有较大帮助,具有一定的实用价值.
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文献信息
篇名 室温光荧光谱分析中的几个典型问题
来源期刊 微纳电子技术 学科 物理学
关键词 光荧光扫描 多量子阱 厚度干涉条纹 透明衬底 室温
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目 纳米材料与结构
研究方向 页码范围 338-341
页数 4页 分类号 O433.4|O433.1
字数 1100字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.06.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘英斌 中国电子科技集团公司第十三研究所 10 54 5.0 7.0
2 林琳 中国电子科技集团公司第十三研究所 21 58 6.0 7.0
3 陈宏泰 中国电子科技集团公司第十三研究所 25 102 6.0 8.0
4 赵润 中国电子科技集团公司第十三研究所 18 45 5.0 5.0
5 杨红伟 中国电子科技集团公司第十三研究所 23 87 6.0 7.0
6 崔崎 中国电子科技集团公司第十三研究所 1 2 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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2008(1)
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  • 二级引证文献(0)
2008(1)
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  • 二级引证文献(0)
2010(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
光荧光扫描
多量子阱
厚度干涉条纹
透明衬底
室温
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
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