SiC衬底X波段GaN MMIC的研究

• 作者: 冯震 张志国 杨克武 武继宾 王勇 蔡树军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 微波单片集成电路 大信号模型 输出功率
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 1112-1114
• 页数: 3页
• 分类号: TN455
• 字数: 983字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.017

摘要

使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT.利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaN MMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1～10.1 GHz时连续波输出功率大于10 W,带内增益大于12 dB,增益平坦度为±0.2 dB.该功率单片为第一个采用国产SiC村底的GaN MMIC.