Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

• 作者: 杨宇 杨瑞东 王茺 秦芳 肖军 邓荣斌 陈寒娴
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 退火 微晶硅薄膜 钽 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 779-782
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.05.022

摘要

对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王茺	云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心	50	148	7.0	8.0
2	陈寒娴	云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心	5	11	2.0	3.0
3	邓荣斌	云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心	6	19	3.0	4.0
4	杨瑞东	云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心	6	9	2.0	2.0
5	秦芳	云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心	5	33	3.0	5.0
6	肖军	云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心	12	35	4.0	5.0
7	杨宇		1	0	0.0	0.0