LaMn1-xVxO3的导电机理研究

• 作者: 丁仁文 孙凤云 马卫兵
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: LaMn1-xVxO3 阻温特性 小极化子
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 82-83
• 页数: 2页
• 分类号: TM283
• 字数: 1364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2008.01.027

摘要

通过掺杂钒(V),探讨钙钛矿型导电陶瓷LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)的导电机理.采用传统的固相反应法制备LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)样品,在空气中于1 200 ℃下烧结2 h.测样品在常温(25 ℃)至300 ℃范围内的阻温特性,并利用小极化子导电模型进行验证.结果表明,LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)在25～300 ℃范围内的导电属于小极化子导电机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马卫兵	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	32	296	11.0	16.0
2	孙凤云	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	5	36	4.0	5.0
3	丁仁文	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0