T形栅In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件

• 作者: 付晓君 张海英 徐静波 黎明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MHEMT InAlAs/InGaAs 功率特性 T型栅
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2331-2334
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.009

摘要

利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/lnGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,138GHz和78GHz.在8GHz下,输人功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74(75.1)%,254(239)mW/mm,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	黎明	中国科学院微电子研究所	41	329	12.0	17.0
4	付晓君	中国科学院微电子研究所	5	21	2.0	4.0