凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应

• 作者: 刘新宇 刘果果 和致经 魏珂 黄俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 干法刻蚀 栅漏电 退火 N空位
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2326-2330
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.008

摘要

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N窄位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低.介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃,Nz氛围退火10min.退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
3	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
4	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
5	黄俊	中国科学院微电子研究所	19	76	5.0	8.0