GaAs对脉冲Nd:YAG激光器的调Q和锁模

• 作者: 张峻诚 熊刚强 王加贤 王娟娟 苏培林
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 可饱和吸收 被动调Q 深能级EL2
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 激光器件与元件
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN2478.1
• 字数: 2192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-2743.2008.03.008

摘要

本文分析半导体材料GaAs对1064nm激光的可饱和吸收特性,在闪光灯抽运的平凹腔和平凸腔Nd:YAG激光器中,插入GaAs样品作为调Q器件,实现了激光器的被动调Q运转,分别获得脉冲宽度32.7ns(平凹腔)和30.9ns(平凸腔)的激光脉冲.实验上研究了平凹腔腔长和输出镜透过率对调Q激光输出性能的影响.当平凹腔腔长增加到125cm时,观察到GaAs对1064nm激光的被动锁模.对上述实验结果给予了合理的理论解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王加贤	华侨大学信息科学与工程学院	81	268	9.0	12.0
2	王娟娟	华侨大学信息科学与工程学院	7	30	3.0	5.0
3	张峻诚	华侨大学信息科学与工程学院	8	32	3.0	5.0
4	苏培林	华侨大学信息科学与工程学院	9	31	2.0	5.0
5	熊刚强	华侨大学信息科学与工程学院	6	20	2.0	4.0