Be掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响

• 作者: 卢宇 吴青云 翁臻臻 郑勇平 陈志高 黄志高
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO Be电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2316-2321
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.006

摘要

基于密度泛函理论(DFT)第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质.计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大.这种现象主要是由于价带顶O2p随掺杂量x的增加几乎保持不变,而Zn4s随掺杂最x的增加向高能端移动.光学介电函数虚部计算结果表明:在2.0,6.76eV位置随掺杂浓度的增加蜂形逐渐消失,是由于Be替代Zn导致Zn3d电子态逐渐减少所致;而9.9eV峰彤逐渐增强,是由于逐渐形成的纤锌矿结构Beo的价带O2p到导带Be2s的跃迁增加所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志高	福建师范大学物理系	23	81	5.0	8.0
2	卢宇	福建师范大学物理系	45	245	9.0	13.0
3	郑勇平	福建师范大学物理系	12	22	3.0	4.0
4	黄志高	福建师范大学物理系	108	292	9.0	13.0
6	吴青云	福建师范大学物理系	4	32	2.0	4.0
7	翁臻臻	中国科学院福建物质结构研究所	1	1	1.0	1.0