CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较

• 作者: 任迪远 余学峰 孙静 文林 王改丽 郑玉展
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 总剂量辐射 漏电流 机理
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 348-351
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 3434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.05.007

摘要

通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验,比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性,对其响应差异进行了较深入的机理研究,并探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙静	新疆大学物理学院	9	27	3.0	5.0
2	郑玉展		6	66	4.0	6.0
4	余学峰		2	5	1.0	2.0
5	任迪远		2	5	1.0	2.0
6	王改丽		3	23	3.0	3.0
12	文林	新疆大学物理学院	3	19	2.0	3.0