基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究

• 作者: 孙凌 杨华岳 王磊 高超
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 原位水汽生成 界面态 迁移率 栅氧化膜
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 995-999
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.5
• 字数: 1451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.015

摘要

介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究.通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关.同时,通过测试还发现提高生长温度和减小H2在反应气体中的比重可以获得更好的电特性,这也指明了原位水汽生长工艺存在进一步提高的可能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙凌	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	8	57	4.0	7.0
7	王磊	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	346	2763	24.0	41.0
13	高超	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	39	911	14.0	30.0