SnO2厚膜NO2新型气敏元件的研制

• 作者: 林金阳
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 霍耳效应 气敏元件 二氧化氮
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 1986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.01.015

摘要

根据霍耳效应,用真空镀膜法制备之SnO2厚膜,制备了NO2新型气敏元件,并对其气敏性能进行了测试.结果表明:在一定的温度和湿度下,即使没有加热,元件对体积分数为20×10-6的NO2气体的灵敏度可达5.94,响应时间为36 s,恢复时间为22 s.因此,利用霍耳效应来制作气敏元件是一条可行的新思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林金阳	福建工程学院电子电气系	19	59	5.0	7.0