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摘要:
左手材料是近几年兴起的一种新型人工材料,现有的左手材料大多数是各向异性的.因此对各向异性左手材料的研究非常重要.对光轴与界面成任意角度的单轴各向异性左手材料薄层的Goos-H(a)nchen(GH)位移进行了研究.分别对入射波全反射和部分反射情形进行了研究,得到了GH位移的表达式.分析了入射角和光轴与界面的夹角对GH位移的影响,并对这两种情况下GH位移的符号进行了分析.研究发现,部分反射时反射波的GH位移与透射波的相等;薄层厚度逐渐增加时,透射波的GH位移振荡且呈整体增加,在透射共振点达到绝对极大值,它受入射角和光轴与界面的夹角的巨大影响.
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文献信息
篇名 单轴各向异性左手材料薄层的Goos-H(a)nchen位移
来源期刊 哈尔滨工程大学学报 学科 物理学
关键词 单轴各向异性 左手材料 Goos-H(a)nchen位移 全反射
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 523-528
页数 6页 分类号 O431
字数 2930字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-7043.2008.05.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王政平 哈尔滨工程大学理学院 92 841 16.0 24.0
2 张振辉 哈尔滨工程大学理学院 13 47 5.0 6.0
6 王成 哈尔滨工程大学理学院 23 128 7.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
单轴各向异性
左手材料
Goos-H(a)nchen位移
全反射
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哈尔滨工程大学学报
月刊
1006-7043
23-1390/U
大16开
哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼
14-111
1980
chi
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