湿化学法制备氧化硅超薄膜及其成份和厚度的SRPES测定

• 作者: 张伟风 徐彭寿 王科范 郑海务 顾玉宗
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化硅薄膜 同步辐射光电子能谱(SRPES) 湿化学法 Ge量子点
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 255-259
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5
• 字数: 1930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.04.004

摘要

用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面(H-Si)得到一层氧化硅超薄膜.原子力显微镜(AFM,Atomic Force Microscope)的结果显示,氧化前后的表面均非常平整.同步辐射光电子能谱(SRPES,Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy)的测试结果表明,氧化膜的主要化学成份为SiO2,其平均厚度为0.24 nm.衬底温度为500℃时,在此氧化膜表面制备出面密度达9.5×1010 cm-2,尺寸集中为(25±5)nn的Ge量子点.初步的生长实验表明,湿化学法制备的氧化硅超薄膜作为外延衬底,可减小Ge量子点的尺寸,提高其面密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾玉宗	河南大学物理与电子学院微系统物理研究所	52	384	13.0	17.0
2	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
3	郑海务	河南大学物理与电子学院微系统物理研究所	21	112	5.0	9.0
4	张伟风	河南大学物理与电子学院微系统物理研究所	66	248	8.0	10.0
5	王科范	河南大学物理与电子学院微系统物理研究所	8	9	2.0	2.0