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摘要:
对电容激励模式下半导体桥(SCB)的电流、电压以及光的变化进行了测试,从能量的角度对半导体桥电爆换能过程进行了分析,并对电爆换能过程中硅桥物质形态的变化进行了量化分析,在电容为22 μF、充电电压为45 V的情况下,SCB上电压为最低时(2.18 μs,10 V)有61.1%的桥区熔化,SCB上电压为最高时(3.48 μs,43 V)桥区有14.5%气化,在SCB发火光强最亮时(17.60 μs)有70.3%的半导体硅桥电离.
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关键词云
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文献信息
篇名 半导体桥电爆过程的能量转换测量与计算
来源期刊 含能材料 学科 工学
关键词 应用化学 火工品 半导体桥 等离子体 电爆换能
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 564-566,576
页数 4页 分类号 TJ45|TN303
字数 2098字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-9941.2008.05.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周彬 南京理工大学化工学院 53 505 12.0 20.0
2 徐振相 南京理工大学化工学院 36 440 12.0 20.0
3 秦志春 南京理工大学化工学院 46 482 12.0 20.0
4 田桂蓉 南京理工大学化工学院 18 181 7.0 13.0
5 张文超 南京理工大学化工学院 25 152 8.0 11.0
6 叶家海 南京理工大学化工学院 16 77 5.0 8.0
传播情况
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半导体桥
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研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
含能材料
月刊
1006-9941
51-1489/TK
大16开
四川省绵阳市919信箱310分箱
62-31
1993
chi
出版文献量(篇)
3821
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6
总被引数(次)
23008
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