MBE低温生长GaAs在器件应用上的回顾与新进展

• 作者: 汪辉 郑戈
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低温生长砷化镓 器件应用 光电器件 非合金化欧姆接触 量子点
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 95-98
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3301字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-2552.2008.10.029

摘要

在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的GaAs(LTG-GaAs)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可以被用来进行各种应用.将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
2	郑戈	上海交通大学微电子学院	41	274	5.0	16.0