背照式ZnO紫外焦平面成像阵列制作的刻蚀研究

• 作者: 侯洵 张景文 高群
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀 NH4Cl 焦平面阵列
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2304-2306
• 页数: 3页
• 分类号: TN36
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.003

摘要

研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm × 25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°.在刻蚀过程中,刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关系.还研究了NH4Cl溶液浓度和刻蚀速率之间的关系.时刻蚀后的阵列单元进行了光电响应的测试,得到明暗电流比约为60:1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高群	西安交通大学电子科学与工程系	6	62	3.0	6.0
2	侯洵	西安交通大学电子科学与工程系	46	244	9.0	13.0
3	张景文	西安交通大学电子科学与工程系	20	109	7.0	9.0