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准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制
准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制
作者:
余永林
张瑞康
张靖
江山
王定理
董雷
陈磊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SGDBR半导体激光器
可调谐激光器
对接生长
摘要:
对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.
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(/年)
文献信息
篇名
准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
SGDBR半导体激光器
可调谐激光器
对接生长
年,卷(期)
2008,(12)
所属期刊栏目
研究快报
研究方向
页码范围
2301-2303
页数
3页
分类号
TN248.4
字数
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.002
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
江山
12
163
6.0
12.0
2
余永林
华中科技大学武汉光电国家实验室
5
29
4.0
5.0
3
董雷
3
3
1.0
1.0
5
王定理
2
2
1.0
1.0
11
张靖
2
21
1.0
2.0
12
张瑞康
1
1
1.0
1.0
13
陈磊
1
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参考文献(0)
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参考文献(2)
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2008(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2011(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
SGDBR半导体激光器
可调谐激光器
对接生长
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:
http://www.863.org.cn
项目类型:
重点项目
学科类型:
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