一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器

• 作者: 周肖鹏 程知群 陈敬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声 分布式放大器 复合沟道 GaN HEMTs
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2297-2300
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.001

摘要

设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT).给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果.测试结果显示低噪声分布式放大器在2～10GHz频率范围内,输入和输出端口驻波比均小于2.0,相关增益大于7.0dB.带内增益波纹小于1d8.在2～6GHz频率范围内,噪声系数小于5dB;在2～10GHz频率范围内,噪声系数小于6.5dB;测试结果与仿真结果较吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敬	香港科技大学电子与计算机工程系	5	15	3.0	3.0