SiN钝化前的NF3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响

• 作者: 任春江 焦刚 薛舫时 陈刚 陈堂胜 陈辰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 NF3等离子体处理
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2385-2388
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.019

摘要

研究了SiN钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对AlGaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的AlGaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受影响.微波功率测试表明,经过6min NF3等离子体处理的AIGaN/GaN HEMT在2GHz,30V工作电压下达到6.15W/mm的输出功率密度,而未经过处理的器件只达到1.82W/mm的输出功率密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	56	225	8.0	12.0
2	陈刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	19	61	5.0	7.0
3	薛舫时	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	30	154	7.0	11.0
4	任春江	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	14	78	6.0	8.0
5	焦刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	12	80	5.0	8.0
6	陈辰	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	22	120	7.0	10.0