硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响

• 作者: 吴新坤 程树英 钟南保
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: FeS2薄膜 硫化时间 制备
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 374-377
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4|TN405
• 字数: 3082字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2243.2008.03.013

摘要

在硫化温度为653 K和硫化时间分别在3、6和12h的条件下,用硫化铁膜法制备FcS2薄膜.通过对不同条件下制备的薄膜成分、结构和光电性能研究表明:当硫化时间大于6 h时,薄膜的成分接近理想化学配比,直接光学能带间隙大约为1.15～1.17 eV,电阻率约为1.3 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程树英	福州大学物理与信息工程学院	96	443	11.0	17.0
2	吴新坤	福州大学物理与信息工程学院	7	23	2.0	4.0
3	钟南保	福州大学物理与信息工程学院	9	37	3.0	6.0