金属/多孔硅/硅结构发光器件输运特性的研究

• 作者: 卓敬清 夏辉 崔昊杨 李宏建
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 金属/多孔硅/硅结构 输运特性 镜像势
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 482-486
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3541字
• 语种: 中文

摘要

基于Vlkulov等人对金属/多孔硅/硅结构输运特性的研究,分析了载流子在金属/多孔硅/硅结构中的输运过程,研究了各层中电场强度以及电压的分布,讨论了镜像势在正反向偏压下对金属/多孔硅/硅结构I-V特性的影响.结果表明:金属/多孔硅/硅结构中电流主要受表面态电荷和界面层影响,改变多孔硅层厚度将导致各层中电压的重新分布,不管是正向偏压还是反向偏压,电流随厚度的增加而减小;镜像势在正向偏压时对电流的影响可以忽略,但随反向偏压增大镜像势对电流的影响越来越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏辉	中南大学物理科学与技术学院	35	102	6.0	8.0
2	李宏建	中南大学物理科学与技术学院	51	208	8.0	11.0
3	卓敬清	中南大学物理科学与技术学院	2	0	0.0	0.0
4	崔昊杨	中国科学院上海技术物理研究所	3	2	1.0	1.0