近场光学显微法研究CdS及CdSxSe1-x一维纳米结构光学传输特性

• 作者: 刘丹 方哲宇 朱星 潘安练 王笑 黄珊
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: 近场光学 一维纳米结构 光致荧光 CdS
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1524-1530
• 页数: 7页
• 语种: 中文

摘要

利用扫描近场光学显微系统,研究了Cds及CdSxSe1-x一维纳米结构的荧光传输特性.实验表明光致荧光可以在直的或者弯曲的一维纳米结构中传输,并实现在纳米结构的端部出射.根据在不同激发光强度下的CdS纳米带端部的三维扫描近场光学像,分析了随着激发光强度增加,纳米带可能出现的受激发射现象.通过近场扫描成像,分析了CdSxSe1-x一维纳米结构光致荧光在结构端部的光出射现象.对于不同组分的CdSxSe1-x一维纳米结构分别测其原位以及传导一定距离之后的光致荧光谱,观测到红移现象.分析表明,红移是由于荧光在纳米结构的传输中的吸收效应造成的.对于CdS及CdSxSe1-x一维纳米结构的光学传输的研究,有助于发展新型功能的纳米器件.