n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算

• 作者: 三村秀典 元光 宋翠华 宋航 屿拹秀隆 曹崇龙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射 电子能谱 硅微尖 电场渗透
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 557-560
• 页数: 4页
• 分类号: O462.4|TN873.95
• 字数: 1820字
• 语种: 中文

摘要

结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源.计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1 eV.导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	元光	中国海洋大学物理系	26	100	5.0	9.0
2	宋翠华	中国海洋大学物理系	5	21	3.0	4.0
3	曹崇龙	中国海洋大学物理系	2	3	1.0	1.0
4	宋航	中国科学院激发态物理重点实验室	15	37	4.0	5.0
5	屿拹秀隆	日本静冈大学电子工学研究所	1	2	1.0	1.0
6	三村秀典	日本静冈大学电子工学研究所	1	2	1.0	1.0