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摘要:
纳米制作技术的革新提高了设备的集成性和性能,但也使制作中的故障增多了。由于设计的规模已达百万门数,频率达GHz,因此在芯片的总故障率中,与时序相关的故障占大部分。在纳米技术设计中,传统的测试方法已不能确保芯片的高质量;当尺度小于180nm时,实速测试和跳变时延故障模式成为很需要的技术。
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内容分析
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文献信息
篇名 纳米技术设计高品质的延迟测试
来源期刊 国外科技新书评介 学科 工学
关键词 纳米技术 测试方法 设计 延迟 品质 制作技术 故障率 故障模式
年,卷(期) 2008,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 15
页数 1页 分类号 TP332
字数 语种
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘克玲 中国科学院过程工程研究所 97 71 3.0 8.0
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2008(0)
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研究主题发展历程
节点文献
纳米技术
测试方法
设计
延迟
品质
制作技术
故障率
故障模式
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
国外科技新书评介
月刊
北京市海淀区中关村北四环西路33号
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