功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析

• 作者: 孙丞 王彩琳
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应晶体管 高温 特性/安全工作点
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件研发进展专辑
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2008.12.019

摘要

简述了功率MOSFET的结构特点及工作原理,从理论上分析了温度对阈值电压、跨导、导通电阻、漏极饱和电流及击穿电压等关键参数的影响.采用ISE软件模拟了不同温度下器件的导通特性和阻断特性,给出了这些参数随温度变化的曲线.最后,分析了温度对功率MOSFET安全工作区的影响,为功率MOSFET的设计和使用提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彩琳		43	203	8.0	12.0
2	孙丞		1	17	1.0	1.0