带有ESD保护,900MHz/2.4 GHz Dual-BandCMOS LNA的设计

• 作者: 徐东华 袁国顺 赵冰 魏本富
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 低噪声放大器 双频带 静电防护 噪声系数
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 电路
• 页码范围: 600-603
• 页数: 4页
• 分类号: TN402|TN454
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.054

摘要

设计了一个可以同时工作在900 MHz和2.4 GHz的双频带(Dual-Band)低噪声放大器(LNA).相对于使用并行(parallel)结构LNA的双频带解决方案,同时工作(concurrent)结构的双频带LNA更能节省面积和减少功耗.此LNA在900MHz和2.4 GHz两频带同时提供窄带增益和良好匹配.该双频带LNA使用TSMC 0.25 μm 1P5M RF CMOS工艺.工作在900MHz时,电压增益、噪声系数(Noise Figure)分别是21 dB、2.9 dB;工作在2.4 GHz时,电压增益、噪声系数分别是25dB、2.8 dB,在电源电压为2.5 V时,该LNA的功耗为12.5mW,面积为1.1mm×0.9 mm.使用新颖的静电防护(ESD)结构使得在外围PAD上的保护二极管面积仅为8 μm×8 μm时,静电防护能力可达2 kV(人体模型)

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏本富	中国科学院微电子研究所	3	39	2.0	3.0
2	袁国顺	中国科学院微电子研究所	50	218	7.0	12.0
3	徐东华	中国科学院微电子研究所	1	1	1.0	1.0
4	赵冰	中国科学院微电子研究所	10	37	4.0	5.0