Pentcene/SiO2表面随温度变化的AFM研究

• 作者: 张旭辉 张福甲 董茂军 陶春兰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: pentcene/SiO2 AFM 表面形貌
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 881-882
• 页数: 2页
• 分类号: O484
• 字数: 2137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.06.001

摘要

以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	71	318	9.0	14.0
2	董茂军	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	7	17	3.0	3.0
3	张旭辉	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	5	11	3.0	3.0
4	陶春兰	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	6	12	3.0	3.0