过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展

• 作者: 姚宁 张丽伟 张兵临 王爱华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自旋电子学 稀磁半导体 ZnO 过渡金属掺杂 室温铁磁性
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 114-123
• 页数: 10页
• 分类号: TN304
• 字数: 5354字
• 语种: 中文

摘要

ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-metal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道.本文对不同方法和不同条件制备的过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了综述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽伟	郑州大学材料物理教育部重点实验室	17	90	7.0	9.0
3	王爱华	郑州大学材料物理教育部重点实验室	11	25	2.0	4.0
4	姚宁	郑州大学材料物理教育部重点实验室	122	692	12.0	18.0
5	张兵临	郑州大学材料物理教育部重点实验室	95	608	12.0	18.0