垂直腔面发射激光器中氧化速率规律的研究

• 作者: 么艳萍 侯立峰 冯源 赵英杰 郝永芹 钟景昌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 选择性氧化 氧化速率 扩散速率
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2412-2416
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.025

摘要

本文在不同条件下进行了选择性氧化实验,从中获得被氧化样品的微观结构图片和不同氧化深度处的各组分含量.由于氧化速率主要受扩散控制的影响,因而本研究运用扩散动力学方法对实验结果进行分析.所推导出氧化规律的数学拟合曲线与实验所得数据基本吻合,从而得出垂直腔面发射激光器氧化剂浓度随氧化深度的增加呈现指数衰减的规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	郝永芹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	87	5.0	8.0
3	赵英杰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	148	7.0	11.0
4	冯源	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	17	48	4.0	6.0
5	侯立峰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	4	24	3.0	4.0
6	么艳萍	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	3	1.0	1.0