90 nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案

• 作者: 程秀兰 阎海滨
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体制造 接触层 铜扩散 缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进器件制备技术)
• 页码范围: 866-868
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 2545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.006

摘要

在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义.基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的.通过合理的设计,优化了光刻胶清洗流程,最终达到成品率提升的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	阎海滨	上海交通大学微电子学院	1	0	0.0	0.0