SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀

• 作者: 任春江 徐筱乐 柏松 焦刚 陈堂胜 陈辰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 六氟化硫 电感耦合等离子体刻蚀
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2408-2411
• 页数: 4页
• 分类号: TN205
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.024

摘要

利用ICP对研制的SiC衬底上AlGaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层;之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底进行了刻蚀;最后将Cl2和BCl3混合气体的ICP刻蚀技术运用于AlGaN/GaN外延材料的刻蚀,完成了深度为50μm的AlGaN/GaN HEMT通孔制作,通孔侧壁具有一定的斜率,适合良好的金属覆盖以形成器件正面和背面的连接.这一技术非常适合AlGaN/GaN HEMT及其单片集成电路的研制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	56	225	8.0	12.0
2	任春江	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	14	78	6.0	8.0
3	焦刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	12	80	5.0	8.0
4	陈辰	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	22	120	7.0	10.0
5	徐筱乐	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	4	5	2.0	2.0
6	柏松	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	20	83	6.0	8.0