退火温度对Cu膜微结构与电阻率的影响

• 作者: 吴学勇 赵海阔 雒向东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜膜 微结构 电阻率 溅射
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 77-79,89
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.8|TB43
• 字数: 1711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.020

摘要

采用磁控溅射方法在玻璃衬底上淀积500 nm厚Cu膜,在不同温度下进行原位退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及四探针测试仪分析了薄膜微结构与电阻率.随着t增加,应变能与表面能的竞争导致Cu(220)取向晶粒组成不断增加;薄膜晶粒不断长大且其几何形态在t＞500 ℃时由柱状晶向等轴晶结构转变;当t＜500 ℃时,随着薄膜电阻率ρ与表面粗糙度Rrms显著减小,而t＞500 ℃时,Rrms呈现增加趋势,而ρ变化不明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雒向东	兰州城市学院培黎工程技术学院	30	121	7.0	9.0
2	赵海阔	兰州城市学院培黎工程技术学院	19	124	7.0	11.0
3	吴学勇	兰州城市学院培黎工程技术学院	12	29	3.0	5.0