超声电沉积-硒化制备CuInSe2薄膜

• 作者: 倪沛然 杨永刚 果世驹 王延来 聂洪波
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超声电沉积 合金预制膜 CIS薄膜 表面形貌
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 1534-1537
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2008.12.016

摘要

采用超声电沉积法在钼基底上制备了Cu-In合金预制膜,随后在硒蒸汽进行硒化处理,得到了CuInSe2(CIS)薄膜.分别用SEM、EDS和XRD分析了合金预制膜和CuIrISe2薄膜的表面形貌、成分及相组成.结果表明:超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu-In合金薄膜,并且可以利用电流密度控制预制膜中的Cu/In比率;随着Cu含量的增加,CIS薄膜的结晶性变好;富铜的CIS薄膜中除了CuInSe2以外还有CuSe相,CuSe的含量随铜含量的增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	聂洪波	北京科技大学材料科学与工程学院	6	29	4.0	5.0
2	王延来	北京科技大学材料科学与工程学院	5	22	3.0	4.0
3	杨永刚	北京科技大学材料科学与工程学院	6	41	3.0	6.0
4	倪沛然		3	33	2.0	3.0
5	果世驹		1	2	1.0	1.0