界面化学反应形成的纳米颗粒对有机交叉点存储器的影响

• 作者: 孙叶丹 施毅 曹立强 李昀 潘力佳 濮林 邱旦峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 有机交叉点存储器 电学双稳态 固相化学反应 纳米颗粒
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2398-2402
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.022

摘要

研究了有机交叉点存储器件中,有机物与电极界面化学反应形成的纳米颗粒对电学特征的影响.器件的阳极和阴极分别为氧化铟锡(ITO)导电玻璃和真空热蒸发沉积的～薄膜,有机半导体层为真空热蒸发沉积的2-amino-4,5-dicyanoimidazole(AlDcN)薄膜.通过透射电子显微镜(TEM)和X光电子能谱(XPS)测量,在AIDCN/ITO界面上发现SnOx纳米颗粒形成,并证明此纳米颗粒的形成是由于ITO中的高价氧化锡和AIDCN之间的固相反应,纳米颗粒中的Sn元素主要是从ITO表面的锡富集层中析出.研究证明了界面上纳米颗粒的形成是器件双稳态现象的关键,用这种方式制成的交叉点结构的三层有机存储器件其开关比达到107～1011.