MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象

• 作者: 刘启佳 刘斌 张荣 徐峰 江若涟 谢自力 郑有阧 陈敦军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In分凝 X射线衍射 原子力显微镜 X射线光电子谱 Raman散射
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 851-855
• 页数: 5页
• 分类号: O472.1
• 字数: 2565字
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象.研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In-N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In-N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现.相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高.同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应.