基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究

• 作者: 吴春亚 孟志国 李阳 熊绍珍 王忆 赵淑云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型掺杂多晶硅薄膜 微腔 多晶硅薄膜功能层
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2393-2397
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.021

摘要

在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层--薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多品硅(p+-MIC poly-Si)薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性.与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层.对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性.当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED(microcavity-OLED,MOLED)的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高.这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王忆	五邑大学数学物理系	59	242	8.0	12.0
2	赵淑云	香港科技大学电机与电子工程系	6	7	1.0	1.0
3	熊绍珍	香港科技大学电机与电子工程系	1	1	1.0	1.0