GaN转移电子器件的性能与基本设计

• 作者: 张荣 李忠辉 邵贤杰 郑有炓 陆海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 转移电子器件 微分负阻效应 最高频率 临界掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2389-2392
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.020

摘要

基于GaN转移电子器件最基本的工作模式--畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势.最后还讨论了 GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准((NL)0=6.3×1012cm2)及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Norit(3.2×1017cm-3).本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李忠辉	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	9	25	3.0	4.0